BossBey File Manager
PHP:
7.3.31-1~deb10u1
OS:
Linux
User:
www-data
Root
/
home
/
www
/
inorg
/
lssm
📤 Upload
рџ“ќ New File
рџ“Ѓ New Folder
Close
Editing: history.html
<!DOCTYPE HTML PUBLIC "-//W3C//DTD HTML 4.01 Transitional//EN"> <html><head> <meta http-equiv="Content-Type" content="text/html; charset=windows-1251"> <meta name="keywords" http-equiv="keywords" content="Лаборатория химии и физики полупроводниковых и сенсорных материалов, кафедра неорганической химии, химический факультет, факультет наук о материалах, московский государственный университет, московский университет, МГУ, полупроводники, сенсоры, квантовые точки, сложные оксиды, химия, физика"><title>Лаборатория химии и физики полупроводниковых и сенсорных материалов | История лаборатории</title> <link href="lab.css?140414" rel="stylesheet" type="text/css"> <!--[if IE]> <link href="lab4ie.css" rel="stylesheet" type="text/css" media="screen"> <![endif]--> </head> <body> <div id="content"> <table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" height="100%" width="100%"> <tbody> <tr> <td valign="top" width="*"> <table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" height="100%" width="100%"> <tbody> <tr> <td class="Header" height="155"> </td> </tr> <tr> <td> </td> </tr> <tr> <td class="Header" height="30"> </td> </tr> </tbody> </table> </td> <td width="980"> <table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" height="100%" width="980"> <tbody> <tr> <td class="Header" height="25" width="200"> </td> <td class="Header" align="center" height="25" width="570"> <p id="lab">ЛАБОРАТОРИЯ ХИМИИ И ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И СЕНСОРНЫХ МАТЕРИАЛОВ</p> </td> <td class="Header" height="25" width="140"> </td> <td class="Header" height="25" width="20"><a href="index.html" class="labLNK"><img src="images/home.jpg" alt="главная" border="0" height="16" width="16"></a></td> <td class="Header" height="25" width="25"><a href="en/history.html" class="labLNK"><img src="images/flag-en.jpg" alt="english" border="0" height="15" width="20"></a></td> <td class="Header" height="25" width="25"><a href="history.html" class="labLNK"><img src="images/flag-ru.jpg" alt="русский" border="0" height="15" width="20"></a></td> </tr> <tr> <td colspan="6" class="Header" height="130"> <object classid="clsid:d27cdb6e-ae6d-11cf-96b8-444553540000" codebase="http://download.macromedia.com/pub/shockwave/cabs/flash/swflash.cab#version=7,0,0,0" align="top" height="130" width="980"> <param name="allowScriptAccess" value="sameDomain"> <param name="movie" value="lab_menu.swf?140414"> <param name="quality" value="high"> <param name="bgcolor" value="#4f6f9c"> <embed src="lab_menu.swf?140414" quality="high" bgcolor="#4f6f9c" allowscriptaccess="sameDomain" type="application/x-shockwave-flash" pluginspage="http://www.macromedia.com/go/getflashplayer" align="top" height="130" width="980"> </object> </td> </tr> <tr> <td><img src="images/Novoselova.jpg" alt="" id="pict" height="246" width="196"><br> </td> <td colspan="5" class="BodyTxt"> <p class="Name"><a name="topsite">История лаборатории химии и физики полупроводниковых и сенсорных материалов</a></p> <hr> <p></p> <p><span style="font-weight: bold;">СМИ о нас:</span></p> <p><iframe src="http://vk.com/video_ext.php?oid=2183209&id=168073114&hash=27d00afa1026499a&sd" frameborder="0" height="360" width="607"></iframe></p> <p>Проблемная лаборатория физики и химии полупроводниковых материалов организована в 1962 г. В 1962-1986 годах ею руководила академик А.В. Новоселова, а с 1986 г. по 2008 г. – её ученик профессор, д.х.н. В.П. Зломанов. В 2008 году лаборатория преобразована в лабораторию химии и физики полупроводниковых и сенсорных материалов, руководит которой профессор А.М. Гаськов.</p> <p>Организации лаборатории предшествовали работы по химии теллура, селена и их соединений, представлявших интерес для изготовления опто- и термоэлектрических преобразователей, сенсоров рентгеновского излучения, медицинских препаратов. В начале 50-х годов А.В. Новоселовой совместно с О.И. Воробьевой и Е.А. Лавут разработаны методики получения чистого диоксида теллура, теллуритов калия и натрия. Вместе с А.С. Пашинкиным и Б.А. Поповкиным исследовалась возможность получения чистого теллура возгонкой его в вакууме. Изучено давление насыщенного пара теллура, диоксида теллура, теллуридов, некоторых металлов, а также селенидов свинца, цинка, кадмия. Полученные данные позволили рассчитать ряд важных термодинамических свойств, разработать режим получения тонких пленок, используемых в качестве люминофоров и фотосопротивлений (И.В. Корнеева, В.В. Соколов, В.П. Зломанов, А.В. Беляев, Лю Цюнь Хуа (Китай), М.И. Караханова, Л.Е. Шелимова, Л.А. Асланов, Я.М. Нестерова, А.Л. Александров).</p> <p>Обработка халькогенидов металлов кислородом резко повышает их фоточувствительность. Изучение взаимодействия халькогенидов металлов с кислородом важно и для понимания процессов окислительного обжига сульфидных руд – основных минеральных источников селена и теллура. Для решения вопроса о составе оксидных фаз и механизма окисления А.В. Новоселова с сотрудниками (В.П. Зломанов, В.А. Поповкин, О.И. Тананаева, Р.Н. Сапожников, З.Х. Латыпова) начала исследование взаимодействия халькогенидов цинка, кадмия, свинца и других металлов с кислородом: были исследованы возможные продукты окисления, синтезированы селениты, селенаты, теллуриты, теллураты различных металлов, а также соответствующие оксиселениты и оксителлуриты. В дальнейшем механизм окисления халькогенидов свинца, олова и германия был развит в работах А.М. Гаськова, С.В. Качусова, Е.Д. Андрюшенко, Л.В. Яшиной и Т.Б. Шаталовой.</p> <p>После организации в 1962 году основная задача деятельности коллектива лаборатории была посвящена разработке физико-химических основ направленного синтеза различных полупроводниковых материалов. Задача направленного синтеза, то есть получения материалов с заданными составом, структурой, а следовательно, и свойствами включала: </p> <ol> <li><a href="#p1">поиск новых процессов синтеза необходимых материалов;</a></li> <li><a href="#p2">определение состава и структуры фаз в системах, образующих полупроводниковое соединение;</a></li> <li><a href="#p3">определение термодинамических и кинетических параметров процессов, обеспечивающих получение материала с заданными составом и структурой;</a></li> <li><a href="#p4">разработку методов управления составом полупроводниковых соединений, образующихся в двух-, трех- и более сложных многокомпонентных системах;</a></li> <li><a href="#p5">поиск новых полупроводниковых материалов;</a></li> <li><a href="#p6">исследование гальваномагнитных, фотоэлектрических и оптических свойств материалов в широком интервале температур и давлений.</a></li> </ol> <p></p> <p></p> <h4 align="center"><a name="p1">1. Развитие методов синтеза.</a></h4> Во вновь организованной лаборатории проводились работы по выращиванию монокристаллов и пленок соединений A<sup>IV</sup>B<sup>VI</sup> и твердых растворов на их основе. Исследовались кинетика роста, характер распределения основных компонентов и примесей (индий, таллий, кадмий, цинк, висмут, хром и др.) в объемных кристаллах A<sup>IV</sup>B<sup>VI</sup> непосредственно в процессе их роста. В качестве методов синтеза использовались различные варианты метода направленной кристаллизации расплава, химических транспортных реакций. Для синтеза кристаллов и пленок из пара использовали механизм фазового перехода пар–кристалл и развитый в лаборатории метод пар–жидкость–кристалл (В.П. Зломанов, О.И. Тананаева, Е.Д. Андрюшенко, С.А. Маклаков, Т.А. Кузнецова, В.И. Штанов, З.Н. Яненко). Ряд разработанных методик защищен авторскими свидетельствами. Эпитаксиальные пленки полупроводниковых материалов, гетероструктуры на их основе выращивали методом вакуумной конденсации в варианте «горячей стенки» в модифицированной установке УВН-71ПЗ. Пленки синтезировались в условиях фиксированных величин парциальных давлений легирующей примеси и собственных компонентов. Наличие двух независимых источников позволяло в едином технологическом режиме синтезировать гетероструктуры с заданным составом. В качестве подложек использовались диэлектрики (BaF<sub>2</sub>, KCl и др.), а также монокристаллические подложки полупроводников, согласованные с материалом пленки по величине параметра элементарной ячейки и коэффициенту термического расширения (А.М. Гаськов, О.Н. Крылюк, С.В. Качусов, Е.В. Кульбачевская, И.Малинский, М.П.Белянский). Работы по созданию эпитаксиальных гетероструктур были основаны на фундаментальных исследованиях процесса самодиффузии методом радиоактивных индикаторов в твердых растворах полупроводников A<sup>IV</sup>B<sup>VI</sup> (Ю.Н. Симирский, Г.П. Симирская, Л.П. Фирсова, А.М. Гаськов) и количественного анализа состава поверхности и тонких пленок методом Оже-электронной спектроскопии и Вторичной масс-спектрометрии нейтральных частиц (А.М. Гаськов, М.П. Белянский). <p></p> <p></p> <h4 align="center"><a name="p2">2. Определение состава и структуры.</a></h4> В качестве одного из основных методов контроля состава и структуры использовали метод рентгеновской дифракции, что позволяло 1) изучить фазовый состав образцов; 2) определить состав твердого раствора по параметру элементарной ячейки; 3) измерить полуширину линий качания и углы разориентировки блоков на монокристаллических образцах; 4) из спектров диффузного рассеяния вычислить параметры ближайшего порядка; 5) оценить коэффициенты линейного расширения (В.Ф. Козловский). Кроме того, была освоена высокотемпературная оптическая микроскопия (микроскоп «НМ-433» фирмы «Union»), которая позволяла наблюдать за поведением образцов при нагреве до 1200°С. Этот метод, в сочетании с локальной Оже-спектроскопией, дал информацию об особенностях процессов роста кристаллитов, их испарении, окисления, распада твердых растворов A<sup>IV</sup>B<sup>VI</sup>, взаимодействия их с контактами и т.д. (В.И. Штанов). <p></p> <p>Для определения природы и констант реакций образования атомных точечных дефектов, обуславливающих нестехиометрию полупроводниковых соединений, использовался метод гетерогенных равновесий. Природа дефектов уточнялась с помощью радиоактивных изотопов. Для полупроводниковых материалов A<sup>IV</sup>B<sup>VI</sup> и твердых растворов на их основе определены значения констант квазихимических реакций образования собственных и примесных (Bi, Zn, Cd, Ga, Cr, O и др.) атомных дефектов. Известные величины констант позволяют прогнозировать условия синтеза полупроводниковых материалов с заданными свойствами (В.П. Зломанов, А.М. Гаськов, О.В.Матвеев, В.Л. Кузнецов, В.Н. Демин).</p> <p>Реальная структура кристаллов, взаимодействие примесей с протяженными дефектами кристалла изучалась локальным рентгеноспектральным анализом (JXA-50A, Jeol) и локальной оже-электронной спектроскопией (JAMP-10 CCS (Jeol)). Результаты исследования позволили определить технологические режимы формирования p – n перехода, условия синтеза гомогенного материала с максимально низкой концентрацией свободных носителей, высокой их подвижностью и совершенной реальной структурой.</p> <p>В начале 1970-х годов под руководством А.М. Гаськова начались работы по разработке методов синтеза гетероструктур, исследованию состава и протяженности переходных слоев в гетероструктурах методом Оже-электронной спектроскопии с использованием системы ионного травления. Полученные зависимости состава и протяженности переходных слоев от операционных параметров выращивания позволили оценить коэффициенты взаимной диффузии компонентов, прогнозировать условия создания гетероструктур с резким переходом, с минимальной протяженностью переходных слоев.</p> <p>Состояние поверхности полупроводниковых материалов во многом определяет характеристику оптоэлектронных преобразователей. В лаборатории были развиты химико-механические методы обработки поверхности, которые позволяют для относительно мягких материалов группы A<sup>IV</sup>B<sup>VI</sup> (PbTe, PbSnTe, PbSeTe) получать поверхность с максимальной высотой неровностей (160-240Å), полушириной кривых качания nw = 20-50 угловых секунд. Состав поверхности и переходных слоев в гетероструктурах изучался методом сканирующей оже-электронной спектроскопии (В.И. Штанов, А.М. Гаськов, О.Н. Крылюк).</p> <p>Исследование рельефа и совершенства кристаллической структуры проводилось методами рентгеновской топографии, растровой электронной спектроскопии, катодолюминесценции и резерфордовского обратного рассеяния и каналирования ионов, совместно с физическим факультетом МГУ.</p> <p></p> <h4 align="center"><a name="p3">3. Определение термодинамических и кинетических параметров процессов, обеспечивающих получение материалов с заданными составом и структурой.</a></h4> Термодинамической основой организации синтеза материалов с заданными составом, структурой и свойствами являются Р–Т–х диаграммы. Р–Т–х диаграммы позволяют выбрать процесс синтеза (из расплава, из пара, с помощью твердофазных реакций) и операционные параметры синтеза – температуру, давление, состав питающей среды, обеспечивающие достижение заданных состава и свойств. Для построения Р–Т–х диаграмм, помимо классических методов физико-химического анализа – дифференциально-термического, металлографического, рентгенофазового, – использовались масс-спектрометрия, электронная и оптическая высокотемпературная микроскопия, рентгеноспектральный анализ и методы термодинамического моделирования. <p></p> <p>Наиболее полно изучены Р–Т–х диаграммы двух и трехкомпонентных систем металл (II, III, IV) – халькоген (S, Se, Te) (С.Г. Карбанов (Болгария), А.Ф. Новожилов, М.В. Плотников, Ю.Г. Метлин, Ло Куанг ФУ (Вьетнам), Е.А. Кулюхина, Е.Д. Демидова, Г.А. Белышева, Л.А. Шаев, М.Е. Тамм, Л.А. Кузнецова).</p> <p></p> <h4 align="center"><a name="p4">4. Управление составом полупроводниковых соединений.</a></h4> Управление составом химических соединений в двухкомпонентной системе заключается в регулировании нестехиометрии, что достигалось фиксированием одного из парциальных давлений. При управлении составом фаз в трехкомпонентной системе необходимо фиксировать содержание третьего компонента. Процесс введения малых (до 1ат.%) количеств этого компонента называют легированием. При бoльших концентрациях возможно образование твердых растворов с неизовалентным или изовалентным замещением атомов в катионной или анионной подрешетке матрицы (О.И. Тананаева, А.М. Гаськов, В.И. Штанов, П.В. Вертелецкий, В.Г. Ванярхо, Н.С. Голованова, С.Г. Дорофеев, Э.А. Калинин, С.М. Кудрявцева, Т.А. Кузнецова, Л.А. Кузнецова, М.А. Лазаренко, О.Н. Малеванная, М.Е. Тамм). <p></p> <p>Управление составом проводилось либо в процессе выращивания твердых фаз из расплава и пара, либо в результате равновесного диффузионного отжига синтезированных кристаллов в парах, содержащих третий компонент. Условия регулирования – температуры, давления, состав питающей среды, выбирались из Р–Т–х–у диаграмм, изученных предварительно. Содержание примесей определялось методами химического анализа, рентгенографически, локального эмиссионного анализа, электронномикроскопически и т.д.</p> <p></p> <h4 align="center"><a name="p5">5. Поиск новых полупроводниковых материалов.</a></h4> Существенным следует считать открытие качественно новых свойств – диэлектрического состояния и металлической проводимости в группе узкозонных полупроводников, легированных индием, галлием, хромом и некоторыми другими элементами (Л.И. Рябова). <p></p> <p>Открыты новые полупроводниковые соединения, например, SnBi<sub>2</sub>Se<sub>4</sub>, SnBiSe<sub>2</sub>, SnBi<sub>4</sub>Se<sub>5</sub>, SnBi<sub>2</sub>Te<sub>4</sub>, представляющие интерес как термоэлектрические материалы (И.Н. Один, А.В. Давыдов). Синтезирован нанокристаллический диоксид – основа для газовых сенсоров (А.М. Гаськов, М.Н. Румянцева, С.А. Кудрявцева).</p> <p></p> <h4 align="center"><a name="p6">6. Исследование гальваномагнитных, фотоэлектрических и оптических свойств.</a></h4> Гальваномагнитные, фотоэлектрические и оптические свойства изучались совместно с кафедрой физики низких температур физического факультета МГУ. Проводились следующие исследования: <ol> <li>Измерение температурных зависимостей гальваномагнитных коэффициентов (концентрации (n, p), подвижности (μ) носителей сопротивления) в интервале 2÷400 К.</li> <li>Изучение гальваномагнитных осцилляционных эффектов в магнитных полях до 50 кЭ.</li> <li>Исследования с применением гидростатического сжатия до 18 кбар.</li> <li>Изучение фотопроводимости.</li> </ol> <p></p> <p>Исследования энергетического спектра носителей позволили построить диаграмму спектра носителей, определить в зависимости от величины приложенного давления на основе традиционных полупроводниковых материалов условия реализации качественно новых свойств – металлической проводимости и диэлектрического состояния (Л.И. Рябова, И.П. Кашкур).</p> <p>В конце 1960-х годов А.В. Новоселовой совместно с её учеником Б.А. Поповкиным были начаты исследования в области химии сегнетоэлектриков. В дальнейшем тематика исследований расширялась, и в её выполнении приняли участие В.А. Долгих, В.А. Трифонов, В.Н. Демин, В.А. Алешин и др.</p> <p>В результате тщательных исследований построены р–Т–х-фазовые диаграммы систем A<sup>V</sup>C<sub>3</sub><sup>VII</sup> - A<sub>2</sub><sup>V</sup>B<sub>3</sub><sup>VI</sup> (А<sup>V</sup> – Sb, B<sup>VI</sup> – O, S, Se, Te; C<sup>VII</sup> – Cl, Br, J). Рассчитаны стандартные термодинамические характеристики образования промежуточных соединений в системах. С помощью специально разработанного тензиметрического метода были определены границы области гомогенности важнейшего представителя класса – сульфоиодида сурьмы.</p> <p>Был продолжен поиск новых сегнетоэлектриков в системах с участием высокополяризуемых ионов с неподеленной электронной парой: Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>–BiГ<sub>3</sub>, Sb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>–SbГ<sub>3</sub> и Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>–TeO<sub>2</sub>–BiГ<sub>3</sub> (Г = Cl, Br, J), Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>–TeO<sub>2</sub>, V–O–Te, Nb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>–TeO<sub>2</sub>, Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>–TaO<sub>2</sub>. В результате было обнаружено большое количество новых нецентросимметричных кристаллических фаз, некоторые из них обладают пьезо- и пироэлектрическими свойствами. Удалось разработать условия получения ряда фаз в виде отдельных монокристаллов. Было установлено, что Bi<sub>2</sub>TeO<sub>5</sub> и твердые растворы Bi<sub>2</sub>TeO<sub>5</sub>–ТеО<sub>2</sub> являются новыми несобственными сегнетоэлектриками. Кроме того, впервые синтезированы кристаллические селенохлориды-бромиды и иодиды редкоземельных элементов общей формулы LnSeX, среди которых обнаружено двадцать две нецентросимметричные фазы (Б.А. Поповкин, В.А. Долгих).</p> <p>Проблемная лаборатория химии и физики полупроводников была одним из основных центров физико-химического анализа полупроводников. За исследования в этой области А.В. Новоселовой присуждались премии имени М.В. Ломоносова (1970 г.), бронзовая медаль ВДНХ (1973 г.), Государственная премия СССР (1981 г.) (А.В. Новоселова, В.П. Зломанов, Б.А. Поповкин, А.С. Пашинкин). Работы А.В. Новоселовой с сотрудниками по полупроводниковому материаловедению получили широкое признание за рубежом. Доклады об этих работах представлялись на международных конференциях во Франции, Швейцарии, ГДР.</p> <p></p> <h4 align="center">Список студентов, аспирантов и сотрудников лаборатории химии и физики полупроводниковых материалов</h4> <p></p> <ol> <li>Астафьев С.</li> <li>Воробьева Т.А.</li> <li>Валитова Н.Р.</li> <li>Долгих В.А.</li> <li>Дерновский В.И.</li> <li>Демин В.Н. 1966-2005</li> <li>Демина Л.</li> <li>Карнаухова В.</li> <li>Крюков В.</li> <li>Косоруков А.А.</li> <li>Кучерявенко С.</li> <li>Конева Н.</li> <li>Лапичков</li> <li>Нургалиев Б.З.</li> <li>Один И.Н.</li> <li>Поповкин Б.А.</li> <li>Процкая И.</li> <li>Рязанцев А.Л.</li> <li>Татаренко Л.Н.</li> <li>Трифонов В.А.</li> <li>Усков А.</li> <li>Ходякова И. (Блинова)</li> <li>Холодковская Л.Н.</li> <li>Штанова О.К.</li> <li>Абакумова Т.А. 1993</li> <li>Александров А.Л. 1960</li> <li>Александров С.А. 1991</li> <li>Андрюшенко Е.Д. 1979-1983</li> <li>Андреев М.Н.</li> <li>Антипов П.И. 1968-1972</li> <li>Атрашенко Д.</li> <li>Бадалян С.М.</li> <li>Беляев А.В. 1959-1964</li> <li>Белышева Г.А. 1990-1998</li> <li>Белоусов Ю.А.</li> <li>Белянский М.П. 1988</li> <li>Бобруйко В.Б.</li> <li>Буханько Н.Г.</li> <li>Буточкин А.</li> <li>Бубенов С.С.</li> <li>Букреева (Грекова) И.</li> <li>Быков М.А.</li> <li>Власова И. 1970</li> <li>Ванярхо В.Г. 1963-1969</li> <li>Варламова (Салий) Л.М. 1970-1974</li> <li>Владимирова С.</li> <li>Вертелецкий П.В. 1986-1990</li> <li>Васильев Р.Б. 1993 по нас.время</li> <li>Винокуров А.А. 2000 по наст.время</li> <li>Володин В.В. 2002</li> <li>Вороьева Н.А.</li> <li>Галиулин Э.</li> <li>Гаськов А.М. 1966 по наст.время</li> <li>Григорович С.</li> <li>Головизнина С. 1974-1976</li> <li>Голованова Н.С. 1978-1983</li> <li>Господинов Г.Г.</li> <li>Гринько В.В.</li> <li>Гукайло А.</li> <li>Данильчук Т.</li> <li>Давыдов А.В. 1980-1989</li> <li>Дедюлин С.Н.</li> <li>Демидова Е.Д. 1981-1988</li> <li>Дирин Д.Н.</li> <li>Дорофеев С.Г. 1991 по наст.время</li> <li>Журавлев Л.А.</li> <li>Жукова А.А.</li> <li>Зайцев Б.В.</li> <li>Зайцев М.</li> <li>Загнитько Е. 1977-1980</li> <li>Зломанов В.П. по наст.время</li> <li>Золотых А.Н.</li> <li>Зудина И.</li> <li>Иваньшина О.Ю.</li> <li>Илюхина Е.Б.</li> <li>Иштуганова О.</li> <li>Ирхина А.А.</li> <li>Калинин Э.А. 1978-1982</li> <li>Кашкур И.П. 1968-1971</li> <li>Коробейникова Е.Н.</li> <li>Козловский В.Ф. 1966 по наст.время</li> <li>Комиссаров В.Н. 1972-1977</li> <li>Качусов С.В. 1987-1989</li> <li>Комов А.А.</li> <li>Комиссаров В.Н.</li> <li>Корнеева И.В.</li> <li>Котова Н.В.</li> <li>Карбанов С. 1965-1970</li> <li>Кудрявцева (Морева) С.М. 1990-1998</li> <li>Кузнецов С.С.</li> <li>Караханова М.И.</li> <li>Казин А.П.</li> <li>Колчина Л.</li> <li>Котин П.</li> <li>Кузнецов В.Л. 1976-1984</li> <li>Кузнецова Л.А.</li> <li>Кузнецова Т.А. 1976 по наст.время</li> <li>Крылюк О.Н. 1982-1986</li> <li>Краснобров В.М.</li> <li>Кульбачевская Е.В. 1972</li> <li>Кучерявенко С. 1978-1980</li> <li>Кулюхина (Алешина) Е.А. 1968-1976</li> <li>Леушина А.Н.</li> <li>Лазаренко М.А. 1976-1982</li> <li>Лазарева Е.</li> <li>Латыпова З.Х. 1968</li> <li>Левченко В. 1977-1980</li> <li>Лисина Н.Г. 1979-1987</li> <li>Ло Куанг Фу 1967-1980</li> <li>Лунев А.М.</li> <li>Ляпичков В.К. 1978-1980</li> <li>Малинский И.</li> <li>Малков И.</li> <li>Матвеев О.В. 1964-1967</li> <li>Маклаков С.А. 1976-1984</li> <li>Макеева Е.А.</li> <li>Метлин Ю.Г. 1964-1967</li> <li>Масякин Е.В. 1966-1979</li> <li>Маслова О.А.</li> <li>Малеванная О.Н. 1976-1994</li> <li>Марчевский А.</li> <li>Марикуца А.В.</li> <li>Мордвинова Н.Е.</li> <li>Муратова Г.В.</li> <li>Наумов С. 1973-1975</li> <li>Новожилов А.Ф. 1966-1979</li> <li>Петухов И.А.</li> <li>Плотников М. 1974-1983</li> <li>Полозников А.</li> <li>Подголина Д.</li> <li>Плачкова С.П.</li> <li>Потапов В. 1968-1971</li> <li>Подолько Е.В.</li> <li>Пушкина Г.Я.</li> <li>Пухкая В.В.</li> <li>Пашинкин А.С. 1964</li> <li>Один И.Н. 1966 по наст.время</li> <li>Ольховикова Т.</li> <li>Рожик Р.</li> <li>Рубинштейн К.Г. 1960-1972</li> <li>Румянцева М.Н. по наст.время</li> <li>Рябова Л.И. 1974 по наст.время</li> <li>Рыбникова Г.Г. 1975</li> <li>Саркисян А. 1960-1962</li> <li>Сафонова О.В.</li> <li>Симирский Ю.Н.</li> <li>Симирская Г.П.</li> <li>Синь Ю.Е.</li> <li>Сиротина А.П.</li> <li>Смаль А.А.</li> <li>Соколов В.В.</li> <li>Соколова Л.П.</li> <li>Соколикова М.С.</li> <li>Спандарьян О.А. 1977</li> <li>Сурин В.</li> <li>Суслова С.А.</li> <li>Сергеев Р.В. 2001</li> <li>Тананаева О.И. 1964-2003</li> <li>Тягай Т.</li> <li>Тамм М.Е. 1970 по наст.время</li> <li>Тананаев П.Н.</li> <li>Тюрин А.В.</li> <li>Умеренко О.Н. 1980-1982</li> <li>Федосеева И.</li> <li>Федоров М.</li> <li>Фадюков В.М. 196 -1964</li> <li>Фурсик П.</li> <li>Цирельников К.В. 1978-1980</li> <li>Черная Л.</li> <li>Черняк В.В.</li> <li>Чижов А.С.</li> <li>Чудакова Л.С.</li> <li>Шаев Л.А. 1961-2000</li> <li>Шаталова Т.Б. по наст.время</li> <li>Шелимова Л.Е.</li> <li>Шер А.А.</li> <li>Шлейфман Ж.</li> <li>Шлёнская Н.</li> <li>Штанов В.И. 1967-2007</li> <li>Щербаков А.А.</li> <li>Яшина Л.В. 1990 по наст.время</li> <li>Яненко З.Г.</li> </ol> </td> </tr> <tr> <td class="Header" height="30"> <p class="webmaster">web-design: <a href="mailto:ddirin@rambler.ru" class="webmaster">ddirin@rambler.ru</a></p> </td> <td colspan="5" class="Header" height="30"> <p class="Contact">© 2008-2014 Лаборатория химии и физики полупроводниковых и сенсорных материалов.</p> </td> </tr> </tbody> </table> </td> <td valign="top" width="*"> <table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" width="100%"> <tbody> <tr> <td class="Header" height="155"> </td> </tr> <tr> <td> </td> </tr> <tr> <td> </td> </tr> </tbody> </table> </td> </tr> </tbody> </table> <hr class="line1"> <hr class="line2"> <div class="divheader"></div> </div> <div id="totoplink" style="width: 50px;"><a href="#topsite" style="color: rgb(255, 255, 255);">вверх</a></div> </body></html>
Save
Cancel